2SB1355T114F
Скачать datasheet 04023J0R3ABSTR.pdf Файл формата Pdf (20 страниц, 397,88 kb)
2SB1355T114F datasheet
-
Маркировка2SB1355T114F
-
ПроизводительRohm
-
ОписаниеRohm 2SB1355T114F Package Shape: RECTANGULAR Package Style: IN-LINE Terminal Form: THROUGH-HOLE Terminal Position: SINGLE Number of Terminals: 3 Package Body Material: PLASTIC/EPOXY Configuration: SINGLE Number of Elements: 1 Transistor Application: AMPLIFIER Transistor Element Material: SILICON Transistor Polarity: PNP Power Dissipation Ambient-Max: 1.8 W Transistor Type: GENERAL PURPOSE POWER DC Current Gain-Min (hFE): 160 Collector Current-Max (IC): 4 A Collector-emitter Voltage-Max: 60 V Transition Frequency-Nom (fT): 12 MHz
-
Количество страниц4 шт.
-
Форматы файлаHTML, PDF
Где можно купить
Новости электроники
04.06.2024
03.06.2024
03.06.2024